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铁电忆阻器为电子脑实现人工突触

2022年06月13日
       电子大脑的学习需要更慢的软件模拟或更快的硬件模拟真实人脑的忆阻器组件, 即所谓的“突触”。
       为此, 阿肯色大学与法国研究人员合作,

利用铁电材料和生物结构成功制造出快速响应的人工突触。通过突触连接的前神经元和后神经元;突触传递受神经元爆发的因果关系 Δ 调节(来源:研究人员表示, 他们创建的人工突触是为自主学习应用而设计的, 为创建类似于人脑的大规模人工智能电子大脑打开了大门。电子大脑中的人工突触表现出它的可塑性——即增强记忆以提高重复学习训练的能力, 同时削弱只发生一次或不经常发生的训练的记忆。突触的可塑性对于模拟为了实现这一点, 法国科学家从超薄铁电隧道结开始, 当电压脉冲流过它们时, 它们会改变它们的电导率, 从而调整记忆的强度。换句话说, 随着记忆的部分变得更强和更重要, 它们会被更频繁地感知或记住;而那些只出现一次或偶尔会变弱, 最终消失。
       在对许多或几个脉冲流敏感的人造大脑中, 研究人员分别使用夹在每个人造脑细胞中神经元之间的突触连接之间的铁电材料使记忆连接更强或更强。
       较弱。铁电忆阻器; 3个隧道势垒夹在3个底部电极和顶部亚微米柱之间;图为铝酸钇3(来源:和伟研究研究人员提供了突触如何发育或收缩的微观记录, 使未来的研究人员更容易创建更大的自主学习网络。阿肯色大学的研究人员还提供了详细的计算机模拟, 以支持法国科学家测量的铁电隧道结功能。编译:本文授权编译自, 版权所有, 最前沿的电子设计资讯请拒绝转载,

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